目前,大多數交叉型憶阻器都是通過基於光刻的微加工工藝製備,材料受限嚴重,且無法實現多材料精細三維微納結構的調控。
由於存儲器件高阻態(0)和低阻態(1)的開關比取決於電子傳輸途經的電極和功能層之間界麵性質,而傳統的加工製造方法容易破壞交叉點的界麵均勻性,嚴重影響器件的性能。此外,對於平麵交叉型存儲器件,由於存儲單元中導電通路的隨機性和多形態性,電阻值異常波動不可避免,導電通路的生長受到局部電場的嚴重影響。
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