當前位置：
目前，大多數交叉型憶阻器都是通過基於光刻的微加工工藝製備，材料受限嚴重，且無法實現多材料精細三維微納結構的調控。
由於存儲器件高阻態（0）和低阻態（1）的開關比取決於電子傳輸途經的電極和功能層之間界麵性質,而傳統的加工製造方法容易破壞交叉點的界麵均勻性，嚴重影響器件的性能。此外，對於平麵交叉型存儲器件，由於存儲單元中導電通路的隨機性和多形態性，電阻值異常波動不可避免，導電通路的生長受到局部電場的嚴重影響。
目前，大多數交叉型憶阻器都是通過基於光刻的微加工工藝製備，材料受限嚴重，且無法實現多材料精細三維微納結構的調控。
由於存儲器件高阻態（0）和低阻態（1）的開關比取決於電子傳輸途經的電極和功能層之間界麵性質,而傳統的加工製造方法容易破壞交叉點的界麵均勻性，嚴重影響器件的性能。此外，對於平麵交叉型存儲器件，由於存儲單元中導電通路的隨機性和多形態性，電阻值異常波動不可避免，導電通路的生長受到局部電場的嚴重影響。
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